2022.07.30一週新聞集錦:Samsung宣布全球首顆GAA架構3奈米製程晶片開始出貨

先來看看衛星網路的新聞。
(1)星鏈出現歐洲對手，英法衛星業者合併搶市(原文點此)
法國衛星業者Eutelsat宣布收購英國低軌道衛星業者OneWeb。
編按:
目前營運或預計營運衛星網路的企業有:SpaceX(Starlink)、Amazon(Project Kuiper)、Eutelsat、 OneWeb、Iridium(Certus)、波音...等。 其中，又以SpaceX的Starlink大幅領先。

最後來看看晶圓代工業的新聞。
(2)傳中芯國際悄悄出貨 7 奈米晶片，還將進一步提高產能(原文點此)
外傳中國晶圓代工廠商中芯國際已在2021年開始出貨由7奈米製程生產的晶片。
編按:
[a]此次傳聞的7奈米製程是採用較成熟的DUV曝光機進行生產，也是普遍被認為DUV曝光機的臨界極限。 5奈米以下的製程普遍被認為要導入更高階的EUV曝光機才可以進行生產。
[b]中芯國際受美國制裁，無法取得生產先進製程晶片的EUV曝光機。 

(3)聯發科投片英特爾！將採Intel 16製程代工生產晶片(原文點此)
(4)該如何看懂英特爾跟聯發科的代工合作案(原文點此)
聯發科將委託Intel IFS(Intel Foundry Services)晶圓代工部門的「Intel 16」製程生產晶片。
編按:
[a]Intel在2021年將旗下製程重新命名，「Intel 16」製程為原先22奈米的製程，屬於成熟製程。
[b]外傳聯發科將在Intel投片的晶片為WiFi、IoT晶片。
短評:
這項合作對Intel和聯發科可說是各取所需。 Intel方面，可以取得與無晶圓廠客戶(IC設計業者)合作的經驗；聯發科方面，除了在高階製程能有第2供應商之外，未來也許會有更多產品能打入Intel的產品線中。 後續發展值得繼續觀察。

(5)正式出貨！三星 3 奈米 GAA 架構晶片，客戶與良率仍屬未知(原文點此)
Samsung宣布全球首顆採用GAA(Gate All Around)電晶體架構的3奈米製程晶片開始出貨。
編按:
[a-1]電晶體是數位電路的基本元件，主要結構是1條長條狀的Gate(閘級)黏在半導體基板上。 為了方便大家想像，可以把電晶體的縱切面想成1個「凸」字，下半部為半導體基板，上半部是Gate。
[a-2]透過施加電壓在電晶體的Gate上，可以控制電流能不能從半導體基板的其中一側流向另一側(「凸」的左、右半部)。 能導通電流、不能導通電流，這2種狀態正好可以用來代表2進位世界(數位電路)裡的0、1(或1、0)。
[a-3]施加電壓來控制Gate導通電流的能力和Gate與半導體基板的接觸面積有關。 接觸面積越大，控制電流能否導通的能力就越強。
[a-4]越先進製程裡的電晶體會越小(才可以在同面積下塞入更多的電晶體)，Gate與半導體基板的接觸面積也會等比例變小。 當接觸面積小到1個程度之後，Gate在切換至不能導通電流的狀態時，並無法完全停止電流的導通，而是處於1個中間狀態，這違反了2進位世界裡非0即1(沒有中間狀態)的規則，會導致整個數位電路崩潰。
[a-5]要解決這種狀況，就要想辦法增加Gate與半導體基板的接觸面積，於是電晶體開始從原本的平面電晶體陸續演進為Fin電晶體、GAA電晶體。 概念性來說，Fin電晶體的縱切面是由1個「凸」字型的半導體基板與上方1個倒「凹」字型的Gate組成，Gate與半導體基板的接觸面有3面(平面電晶體只有1面)；GAA電晶體的縱切面像是1個「回」字，外面的「口」是Gate，裡面的「口」是半導體基板，Gate與半導體基板的接觸面有4面。
[b]Samsung雖然是全球3奈米製程首發，但是良率要夠高才是該製程是否成功的關鍵。